Чип памяти Samsung V-NAND девятого поколения на 1 ТБ. Источник: Samsung Компания Samsung создала прототип первого в мире 900-слойного чипа флеш-памяти V-NAND. Разработка появилась на фоне роста спроса на память для серверов искусственного интеллекта и дата-центров. Об этом сообщает ETNews. По информации источника, Samsung использовала технологию Cell Multi-Bonding (CMB), которая позволяет объединить два 450-слойных модуля памяти в один чип. Такой подход позволяет увеличить плотность хранения данных и снизить энергопотребление. Одним из главных конкурентов Samsung в сегменте многослойной NAND-памяти остается SK Hynix, которая уже выпускает 321-слойные чипы NAND. Вместе с тем, Samsung готовит к массовому производству NAND-память десятого поколения с более чем 400 слоями, тогда как 900-слойный чип в настоящее время находится на стадии исследований. Во время разработки компания также усовершенствовала структуры Bitline и Wordline, что позволило уменьшить размеры чипа и сократить потребление энергии. Кроме того, Samsung сообщает о решении технических проблем, связанных с деформацией пластин и смещением слоев при вертикальном стековании. Аналитики отмечают, что Samsung ускорила разработку новой памяти из-за активного развития китайской YMTC, которая уже выпускает 294-слойные NAND-чипы и быстро сокращает отставание от мировых лидеров рынка. Источник: ETNews
Что известно
